Etude experimentale des degradations des transistors N-MOS

Name: Etude experimentale des degradations des transistors N-MOS
Brand: Éditions universitaires européennes
SKU: 9783659558047
Price: 325.95 PLN
Availability: InStock

Autor: Yazid Derouiche

Język:

Oprawa: Miękka

Wydawca: Éditions universitaires européennes

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325.95 zł

Dans ce livre est définie la méthodologie d'extraction des dérives des paramètres physiques importan...

Informacje o książce

Autor

Yazid Derouiche

Język

Francuski

Oprawa

Książka - Miękka

Data wydania

2019

strony

160

EAN

9783659558047

Enbook ID

21390576

Wydawca

Éditions universitaires européennes

Waga

245

Wymiary

152 x 229 x 9

Pełny opis

Dans ce livre est définie la méthodologie d'extraction des dérives des paramètres physiques importants qui caractérisent la qualité de l'interface Si/SiO2 d'un transistor MOSFET; tels que : les variations de la tension de seuil DeltaVth, de la tension de bandes plates DeltaVfb, de la densité des états d'interface moyenne Delta Dit [eV-1cm-2] et de la section de capture géométrique Deltas ;s = sn.s p [cm2]. Les pièges lents dans l'oxyde, NT(x) au-delà de cette distance, qui communiquent par effet tunnel avec le silicium sont également déterminés. L'étude expérimentale des effets des dégradations par des rayonnements X de transistors N_MOSFET, fabriqués en technologie CMOS 2mim a été menée à l'aide d'un banc de mesures automatisé basées sur la technique de pompage de charge et ses variantes, développé au niveau du Laboratoire. La source des rayonnements X du diffractomètre à rayons X du Laboratoire des Plasmas a été utilisée. Un étalonnage de celle-ci a été effectué pour déterminer avec précision la dose et le débit de l'irradiation pour chaque type du faisceau qui est défini par un courant et une tension aux bornes de la source.

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