Doping in III-V Semiconductors

Name: Doping in III-V Semiconductors
Brand: Cambridge University Press
SKU: 9780521419192
Price: 1065.97 PLN
Availability: InStock

Autor: E. F. Schubert

Język:

Oprawa: Twarda

Wydawca: Cambridge University Press

Dostępność: Dostępna u dostawcy

Wysyłamy za 14-21 dni

1 065.97 zł

This is the first book to describe thoroughly the many facets of doping in compound semiconductors....

Informacje o książce

Autor

E. F. Schubert

Język

Angielski

Oprawa

Książka - Twarda

Data wydania

1993

strony

632

EAN

9780521419192

ISBN

0521419190

Enbook ID

02030251

Wydawca

Cambridge University Press

Waga

1016

Wymiary

157 x 234 x 36

Pełny opis

This is the first book to describe thoroughly the many facets of doping in compound semiconductors. Equal emphasis is given to the fundamental materials physics and to the technological aspects of doping. The author describes in detail all the various techniques, including doping during epitaxial growth, doping by implantation, and doping by diffusion. The key characteristics of all dopants that have been employed in III–V semiconductors are discussed. In addition, general characteristics of dopants are analyzed, including the electrical activity, saturation, amphotericity, auto-compensation and maximum attainable dopant concentration. The timely topic of highly doped semiconductors is discussed as well. Technologically important deep levels are summarized. The properties of deep levels are presented phenomenologically. The final chapter is dedicated to the experimental characterization of impurities.

Możesz być zainteresowany

Klienci, którzy kupili tę książkę, kupili również

Najczęściej wyszukiwane

Categories

Authors

Publishers

Produkty

Produkty

Najczęściej wyszukiwane

Categories

Authors

Publishers

Produkty

Produkty

Doping in III-V Semiconductors

Informacje o książce

Pełny opis

Możesz być zainteresowany

Klienci, którzy kupili tę książkę, kupili również