Książka Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells MUHAMMED SHIBIB

Device Physics for Engineering Design of Heavily Doped Regions in Pn-junction Silicon Solar Cells

Język: Angielski
Oprawa: Miękka
Dostępność: Dostępna u dostawcy
Wysyłamy za 9-15 dni
263.16
Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the...

Informacje o książce

Język
Angielski
Oprawa
Książka - Miękka
Data wydania
2019
strony
206
EAN
9780530008127
ISBN
0530008122
Enbook ID
22569085
Waga
490
Wymiary
216 x 279 x 11

Pełny opis

Abstract: This dissertation presents a quantitative study of the physical mechanisms underlying the anomolously large recombination current experimentally observed in heavily doped regions of silicon pn-junction solar cells and bipolar transistors. The

Możesz być zainteresowany

322.78

Conflict

David Petraeus
43.12

Whale Fishery of New England

State Street Trust Company
76.49
212.91

Womb of Uncreated Night

Antonides Chris Antonides
131.53
33.75

Klienci, którzy kupili tę książkę, kupili również

99.42
51.12
56.39

Programmare

Miller Daniel E. Miller
74.25
121.47