Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Polarization-induced 2D Hole Gases in undoped (In)GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 3. GHz-speed GaN/AlN p-channel Heterojunction Field Effect Transistors.- Chapter 4. Polarization-induced 2D Electron and Holes in undoped AlN/GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 5. AlN/GaN/AlN High Electron Mobility Transistors.- Chapter 6. Integrated RF Electronics on the AlN Platform.
SZEROKI WYBÓR
Oferujemy ponad milion pozycji anglojęzycznych – od literatury pięknej po specjalistyczną .
DARMOWA WYSYŁKA
Darmowa wysyłka do Paczkomatu od 299 zł.
ATRAKCYJNE CENY
Staramy się by ceny książek były na jak najniższym poziomie, zawsze poniżej ceny zalecanej przez wydawcę. Wszystko po to, by każdy mógł sobie pozwolić na zakup.
14 DNI NA ZWROT
Zakupione u nas książki możesz zwrócić do 14 dni, bez podawania powodów. Wystarczy nas o tym poinformować drogą e-mailową i odesłać książki pod nasz adres, a my zwrócimy pieniądze.