Integrated Electronics on Aluminum Nitride: Materials and Devices

Autor: 
Język: 
english
Oprawa: 
Twarda
Liczba stron: 
255
Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Polarization-induced 2D Hole Gases in undoped (In)GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 3. GHz-speed GaN/AlN p-channel Heterojunction Field Effect Transistors.- Chapt ...Cały opis
988,70 zł

Szczegółowe informacje

Więcej informacji
ISBN9783031171987
AutorChaudhuri Reet
WydawcaSpringer Nature
Językenglish
OprawaPevná vazba
Rok wydania2022
Liczba stron255

Opis książki

Chapter 1. Introduction.- Chapter 2. Polarization-induced 2D Hole Gases in undoped (In)GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 3. GHz-speed GaN/AlN p-channel Heterojunction Field Effect Transistors.- Chapter 4. Polarization-induced 2D Electron and Holes in undoped AlN/GaN/AlN Heterostructures.- Chapter 5. AlN/GaN/AlN High Electron Mobility Transistors.- Chapter 6. Integrated RF Electronics on the AlN Platform.

 

  1. velký výběr

    SZEROKI WYBÓR

    Oferujemy ponad milion pozycji anglojęzycznych – od literatury pięknej po specjalistyczną .

  2. poštovné zdarma

    DARMOWA WYSYŁKA

    Darmowa wysyłka do Paczkomatu od 299 zł.

  3. skvělé ceny

    ATRAKCYJNE CENY

    Staramy się by ceny książek były na jak najniższym poziomie, zawsze poniżej ceny zalecanej przez wydawcę. Wszystko po to, by każdy mógł sobie pozwolić na zakup.

  4. online podpora

    14 DNI NA ZWROT

    Zakupione u nas książki możesz zwrócić do 14 dni, bez podawania powodów. Wystarczy nas o tym poinformować drogą e-mailową i odesłać książki pod nasz adres, a my zwrócimy pieniądze.