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Mosfet Models for Spice Simulation: Including Bsim3v3 and Bsim4
Język:
Oprawa:
Twarda
Liczba stron:
600
Beim integrierten Schaltkreisdesign spielt die Schaltkreissimulation eine wesentliche Rolle, wobei deren Genauigkeit von der Genauigkeit des verwendeten Transistormodells abh ngig ist. BSIM3 (BSIM ste ...Cały opis
984,20 zł
Szczegółowe informacje
| ISBN | 9780471396970 |
|---|---|
| Autor | Liu William |
| Wydawca | Wiley |
| Język | english |
| Oprawa | Pevná vazba |
| Rok wydania | 2001 |
| Liczba stron | 600 |
Opis książki
Beim integrierten Schaltkreisdesign spielt die Schaltkreissimulation eine wesentliche Rolle, wobei deren Genauigkeit von der Genauigkeit des verwendeten Transistormodells abh ngig ist. BSIM3 (BSIM steht f r Berkley Short-channel IGFET Model) wurde als erstes MOSFET Modell zur Standardisierung ausgew hlt. Es wird erwartet, da in den kommenden Jahren viele Halbleiterunternehmen zu BSIM3 wechseln.
Dieses Buch erl utert die technischen Einzelheiten von BSIM 3, warum sich die meisten Unternehmen f r dieses Modell entscheiden und wo es eingesetzt werden kann. Eines der f nf Kapitel widmet sich BSIM4, dem Nachfolgemodell von BSIM3.
Dieses Buch erl utert die technischen Einzelheiten von BSIM 3, warum sich die meisten Unternehmen f r dieses Modell entscheiden und wo es eingesetzt werden kann. Eines der f nf Kapitel widmet sich BSIM4, dem Nachfolgemodell von BSIM3.
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