SZEROKI WYBÓR
Oferujemy ponad milion pozycji anglojęzycznych – od literatury pięknej po specjalistyczną .
Fundamentals of III-V Devices: Hbts, Mesfets, and Hfets/Hemts
Język:
Oprawa:
Twarda
Liczba stron:
520
HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herk mmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit berlegen. Sie eignen sich ideal f r drahtlose Kommunika ...Cały opis
960,69 zł
Szczegółowe informacje
| ISBN | 9780471297000 |
|---|---|
| Autor | Liu William |
| Wydawca | Wiley |
| Język | english |
| Oprawa | Pevná vazba |
| Rok wydania | 1999 |
| Liczba stron | 520 |
Opis książki
HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herk mmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit berlegen. Sie eignen sich ideal f r drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenw rtig intensiv erforscht. Diese Einf hrung ist so verst ndlich formuliert, da der Leser keinerlei Vorkenntnisse der Bauelementephysik ben tigt. Geboten wird auch neues Material zu Feldeffekttransistoren. (04/99)
-
-
DARMOWA WYSYŁKA
Darmowa wysyłka do Paczkomatu od 299 zł.
-
ATRAKCYJNE CENY
Staramy się by ceny książek były na jak najniższym poziomie, zawsze poniżej ceny zalecanej przez wydawcę. Wszystko po to, by każdy mógł sobie pozwolić na zakup.
-
14 DNI NA ZWROT
Zakupione u nas książki możesz zwrócić do 14 dni, bez podawania powodów. Wystarczy nas o tym poinformować drogą e-mailową i odesłać książki pod nasz adres, a my zwrócimy pieniądze.